プロフェッショナル ICサブストレート 研究開発・製造
見積もりをリクエスト当社のIC基板を選ぶ理由
当社は先進技術、厳格な品質管理、顧客中心のサービスを融合し、卓越したIC基板ソリューションを提供します。
高品質素材
以下を含むトップブランドの基板を在庫しており SYTECH、BT、三菱、豆山、東芝、LG、栄華、ABF 安定したパフォーマンスと適合性を保証します。
精密製造
最小配線幅/間隔は 25μm 、最小レーザードリル径は 0.05mm,
以下を装備 LDI露光機 及び 高精度レーザードリル装置.
全工程品質管理
リアルタイムオンライン AOI検査 を工程全体に導入し 100% 専門のIC基板用 マイクロプローブフライングプローブテスターでサンプルを検査.
品質認証
以下に準拠 AS9100 航空宇宙級品質管理認証及び ROHS 環境基準を満たし、各基板が業界最高水準の要求に応えます。
高速納品
サンプル納期はわずか 12-30日, から 試作プリント基板 までの全工程オーダーメイドに対応し 小ロット 生産に対応し、迅速なイテレーションニーズを満たします。
専門チーム
トップクラスのIC基板研究開発・生産実績を持つ20名の強力なR&Dチームが ワンストップサービス を技術相談からオーダーメイド生産まで提供します。
当社のIC基板製品
SiP基板
システムインパッケージ（SiP）は、現在各種ポータブル通信電子製品に広く使用されています。
PBGA基板
ワイヤボンドプラスチックパッケージ基板は、現在コンピューターや通信製品などの中低接触密度電子部品のパッケージに広く使用されています。
FCCSP基板
軽量、薄型、小型化、コンパクト化を重視する民生用電子機器や通信機器などの低接触密度電子部品のパッケージに広く使用されています。
FCBGA基板
フリップチップパッケージ基板は、現在コンピューターや通信機器などの高速演算・高接触密度電子部品のパッケージに広く使用されています。
メモリカード基板
メモリカードパッケージ基板（MCP基板）は、現在メモリカード、コンピューター、携帯電話、ストレージデバイス、サーバーなどの各種電子製品に広く使用されています。
LGA基板
ランドグリッドアレイ（LGA）は、主に半導体やチップを中心とし、高周波、高電力、高密度I/Oを要求するハイエンド電子製品に活用されています。
| Package Type | PBGA | TBGA | CBGA | CCGA | Micro BGA |
|---|---|---|---|---|---|
| Substrate Material | BT Resin | Polyimide | Multilayer Ceramic | Multilayer Ceramic | Optional |
| Encapsulation | オーバーモールド/グロブトップ/キャップ | Optional Cap | Optional Cap | Optional Cap | オーバーモールド/グロブトップ/オプションキャップ |
| Package Size | 7-50mm | 21-40mm | 18-32mm | 32-42.5mm | Chip Scale |
| Die Orientation | 上/下 | Up | 上/下 | 上/下 | 上/下 |
| Interconnect | はんだボール63 Sn/37 Pb | はんだボール10 Sn/90 Pb | はんだボール10 Sn/90 Pb | はんだカラム10 Sn/90 Pb | 金属ボールはんだ/金 |
| Pitch | 1.0 / 1.27 / 1.5 | 1.0 / 1.27 / 1.5 | 1.0 / 1.27 / 1.5 | 1.0 / 1.27 / 1.5 | 0.8 / 0.5 |
| 麺積効率(チップ=1) | 7.2 | 5.3 | 4.5 | 4.5 | 1-1.4 |
製品特徴 / 製造能力
厚さ及び公差
基板厚さ 0.1～1.2mm、公差 ±30μm
小径高密度ホール
孔径 30～150μm、1個あたり数百～数千個のマイクロホール
微細配線幅及び間隔
最小 25μm
小型パッド
最小BGAパッド径：50μm
相互接続技術
埋め込みビア、ブラインドビア、スタックドビア技術
表面処理
Ni/Au、ソフトゴールド、ハードゴールド、Ni/Pd/Auなど
小型ユニットサイズ
≤150×150mm
寸法公差
最小 ±50 μm
|
材料
|
SYTECH、BT、三菱、豆山、東芝、LG、栄華、味の素ビルドアップフィルム（ABF） | ||
|---|---|---|---|
| 量産 | サンプル生産 | ||
| 層数 | 2-10層 | 2-12層 | |
| 最小ドリル径 | 50μm | 50μm | |
| ボンディングフィンガー | 最小ピッチ | 105μm | 95μm |
| 最小幅 | 35μm | 35μm | |
| 回路配線 | 最小ピッチ | 95μm | 25μm |
| 最小幅 | 25μm | 25μm | |
| 最小間隔 | 25μm | 25μm | |
| 最小ウェルディングリング | 80μm | 80μm | |
| 最小厚さ | 2層 | 100μm | 100μm |
| 4層 | 300μm | 200μm | |
| 6層 | 400μm | 300μm | |
| 10層 | 800μm | / | |
| 12層 | 1000μm | / | |
| 配線～パッド/エッジ距離 | 100μm | 75μm | |
| ソルダーマスク | ソルダーダム | 50μm | 50μm |
| ソルダーパッド | 80μm | 70μm | |
| 厚さ | 20+/-5μm | 20+/-5μm | |
| 平坦度 | 5μm | 5μm | |
| 表面処理 | ハードゴールド | Ni:5-15μm Au:0.2-0.5μm | Ni:5-15μm Au:0.2-2μm |
| ソフトゴールド | Ni:5-15μm Au:0.3-0.8μm | Ni:5-15μm Au:0.3-2μm | |
| ENEPIG-WB | Ni:3-8μm、Pd:0.1-0.2μm、Au:0.1-0.2μm | Ni:3-8μm、Pd:0.1-0.2μm、Au:0.1-2μm | |
| ENEPIG-SMT | Ni:3-8μm、Pd:0.05-0.15μm、Au:0.05-0.15μm | Ni:3-8μm、Pd:0.05-0.15μm、Au:0.05-2μm | |
| OSP | OSP:0.1-0.3μm | OSP:0.1-0.3μm | |
工程フロー
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技術的課題
超薄型コア基板加工制御技術
超薄型コア基板は反りや伸縮の問題が発生しやすいです。変形/伸縮制御、ラミネーション構造設計、基板伸縮管理、ラミネーションパラメータ最適化、層間位置合わせシステムなどのプロセス技術において突破が必要です。これにより、超薄型コア基板の反りとラミネーション厚さを効果的に制御します。
マイクロビア加工技術
マイクロブラインドビアのレーザードリル能力、マイクロ貫通穴の機械ドリル能力、ビアフィリング技術、スタックドビア技術を含みます。
超微細回路製造技術
銅削減能力、回路補償制御、メッキ均一性制御、エッチング均一性制御を含みます。
層間位置合わせ技術
多層ラミネーション技術、LDI（レーザーダイレクトイメージング）位置合わせ露光技術、位置基準技術を含みます。
ソルダーマスク製造技術
ソルダーマスク穴埋め（ブラインドビア及び貫通穴用）、ソルダーマスク位置合わせ精度、ソルダーマスク平坦度を含みます。
表面処理技術
電気メッキソフト厚金、電気メッキハード厚金、無電解ニッケルパラジウム金（ENEPIG）を含み、パッド平坦度と微細結晶化の要求があります。
試験・検査技術
マイクロボンディングパッドの試験には、高精度AOI（自動光学検査）装置と導通試験用マイクロプローブフライングプローブテスターのサポートが必要です。同時に、マイクロ欠陥による品質問題を回避するため、AOIリペアプロセスを確立する必要があります。
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