Profesional IC Substrate I + D y fabricación
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Combinamos tecnología avanzada, estricto control de calidad y servicio centrado en el cliente para ofrecer soluciones excepcionales de sustrato de CI.
Materiales Premium
Disponemos de sustratos de marcas líderes, incluyendo SYTECH, BT, Mitsubishi, Doushan, Toshiba, LG, Yinghua, ABF Para garantizar un rendimiento estable y adaptabilidad.
Fabricación de precisión
Con un ancho/espaciado de línea mínimo de 25μm Y diámetro mínimo de la perforación del laser de 0.05mm,
Equipado con Máquinas de exposición LDI Y Perforación láser de alta precisión.
Control de calidad de proceso completo
En tiempo real en línea Monitoreo AOI Durante todo el proceso, 100% Inspección de muestras con sustrato IC profesional Probadores de la sonda de vuelo de la microsonda.
Certificación de calidad
Cumple con AS9100 Certificación de gestión de calidad de grado aeroespacial y ROHS Estándares ambientales, asegurando que cada sustrato cumpla con los más altos requisitos de la industria.
Entrega rápida
Plazo de ejecución de muestra solamente 12-30 días, Admite la personalización de procesos completos desde Prototipos de PCB A Pequeño lote Producción para satisfacer las necesidades de iteración rápida.
Equipo de Expertos
20 fuerte equipo de I + D con antecedentes probados en I + D y producción de sustrato IC de primer nivel, proporcionando Servicio todo en uno Desde la consulta técnica hasta la producción personalizada.
Nuestros productos de sustrato IC
Sustrato SiP
System-in-Package (SiP) es actualmente ampliamente utilizado en varios productos electrónicos de comunicación portátiles.
Sustrato de PBGA
Los sustratos de embalaje de plástico Wire-bond se utilizan actualmente ampliamente en el envasado de componentes electrónicos de densidad de contacto media/baja, como productos informáticos y de comunicación.
Sustrato FCCSP
Ampliamente utilizado en el embalaje de componentes electrónicos de baja densidad de contacto, como dispositivos electrónicos de consumo y de comunicación, que enfatizan el peso ligero, la delgadez, las dimensiones compactas y la compacidad.
Sustrato de FCBGA
Los sustratos de empaquetado Flip-chip se utilizan actualmente ampliamente en el empaquetado de componentes electrónicos de computación de alta velocidad/alta densidad de contacto, como computadoras y dispositivos de comunicación.
Sustrato de tarjeta de memoria
Los sustratos de empaquetado de tarjetas de memoria (sustratos MCP) son actualmente ampliamente utilizados en varios productos electrónicos como tarjetas de memoria, computadoras, teléfonos móviles, dispositivos de almacenamiento y servidores.
Sustrato LGA
Land Grid Array (LGA) se utiliza principalmente en productos electrónicos de alta gama centrados en semiconductores y chips y exigentes escenarios de E/S de alta frecuencia, alta potencia y alta densidad.
| Tipo de paquete | PBGA | TBGA | El CBGA | CCGA | Micro BGA |
|---|---|---|---|---|---|
| Material del sustrato | Resina BT | Poliimida | Cerámica multicapa | Cerámica multicapa | Opcional |
| Encapsulación | Sobre molde/Glob Top/Cap | Casquillo opcional | Casquillo opcional | Casquillo opcional | Sobre molde/Glob Top/Casquillo opcional |
| Tamaño del paquete | 7-50m m | 21-40m m | 18-32m m | 32-42.5m m | Escala de chip |
| Orientación del troquel | Arriba/Abajo | Arriba | Arriba/Abajo | Arriba/Abajo | Arriba/Abajo |
| Interconexión | Bola de soldadura 63Sn/37Pb | Bola de soldadura 10Sn/90Pb | Bola de soldadura 10Sn/90Pb | Columna de soldadura 10Sn/90Pb | Bola de metal de soldadura/oro |
| Pitch | 1.0 / 1.27 / 1.5 | 1.0 / 1.27 / 1.5 | 1.0 / 1.27 / 1.5 | 1.0 / 1.27 / 1.5 | 0.8 / 0.5 |
| Eficacia del área (microprocesador = 1) | 7.2 | 5.3 | 4.5 | 4.5 | 1-1.4 |
Características del producto/Capacidades de fabricación
Espesor y Tolerancia
Grueso del tablero 0.1 ~ 1.2m m, tolerancia ± los 30μm
Agujeros pequeños y densos
Diámetro del agujero de los 30 ~ 150μm, centenares a los millares de agujeros micro por PCS
Ancho y espaciado de la línea fina
Minuto los 25μm
Almohadillas pequeñas
Diámetro mínimo del cojín de BGA: los 50μm
Tecnología de interconexión
Enterrado, ciego y apilado a través de tecnologías
Tratamiento de superficies
Ni/Au, oro suave, oro duro, Ni/Pd/Au, etc.
Tamaño de unidad pequeño
≤ 150 × 150m m
Tolerancia Dimensional
Minuto ± 50 μm
|
Material
|
SYTECH, BT, Mitsubishi, Doushan, Toshiba, LG, Yinghua, Ajinomoto Película de construcción (ABF) | ||
|---|---|---|---|
| Producción en masa | Producción de Muestras | ||
| Capa | 2-10 capas | 2-12 capas | |
| Perforación mínima | 50μm | 50μm | |
| Dedo de unión | Min.Pitch | El 105μm | Los 95μm |
| Min.Ancho | 35μm | 35μm | |
| Línea de circuito | Min.Pitch | Los 95μm | 25μm |
| Min.Ancho | 25μm | 25μm | |
| Min.Spacing | 25μm | 25μm | |
| Anillo de Min.Welding | 80μm | 80μm | |
| Min.Thickness | 2L | 100μm | 100μm |
| 4L | 300μm | 200μm | |
| 6L | 400μm | 300μm | |
| 10L | 800μm | / | |
| 12L | 1000μm | / | |
| Línea a PAD/EDGE | 100μm | 75μm | |
| Máscara de soldadura | Soldadura DAM | 50μm | 50μm |
| SOLDAR PAD | 80μm | 70μm | |
| Espesor | 20 +/-5μm | 20 +/-5μm | |
| Planitud | 5μm | 5μm | |
| Tratamiento de superficie | Oro duro | Ni: 5-15μm Au: 0.2-0.5μm | Ni: 5-15μm Au: 0.2-2μm |
| Oro suave | Ni: 5-15μm Au: 0.3-0.8μm | Ni: 5-15μm Au: 0.3-2μm | |
| ENEPIG-WB | Ni: 3-8μm, Pd: 0.1-0.2μm Au: 0.1-0.2μm | Ni: 3-8μm, Pd: 0.1-0.2μm Au: 0.1-2μm | |
| ENEPIG-SMT | Ni: 3-8μm, Pd: 0.05-0.15μm Au: 0.05-0.15μm | Ni: los 3-8μm, Pd: los 0.05-0.15μm Au: los 0.05-2μm | |
| OSP | OSP: 0.1-0.3μm | OSP: 0.1-0.3μm | |
Flujo de Proceso
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Retos Técnicos
Tecnología de control de procesamiento de placa de núcleo ultrafina
Las placas de núcleo ultrafinas son propensas a problemas de deformación y expansión/contracción. Se requieren avances en tecnologías de procesos como el control de deformación/expansión-contracción, diseño de estructuras de laminación, gestión de expansión-contracción de placas, optimización de parámetros de laminación y sistemas de alineación entre capas. Esto garantiza un control efectivo del espesor de deformación y laminación para placas de núcleo ultrafinas.
Micro a través de tecnología de procesamiento
Incluyendo capacidad de perforación láser para micro vías ciegas, capacidad de perforación mecánica para micro a través de vías, a través de la tecnología de llenado, y apilado a través de la tecnología.
Tecnología ultrafina de fabricación de circuitos
Incluyendo capacidad de reducción de cobre, control de compensación de circuito, control de uniformidad de galjanoplastia y control de uniformidad de grabado.
Tecnología de alineación de capas intermedias
Incluyendo tecnología de laminación multicapa, tecnología de exposición de alineación LDI (Laser Direct Imaging) y tecnología de referencia de posicionamiento.
Tecnología de fabricación de máscaras de soldadura
Incluyendo el taponamiento de máscara de soldadura (para vías ciegas y vías pasantes), la precisión de alineación de la máscara de soldadura y la planitud de la máscara de soldadura.
Tecnología de acabado superficial
Incluyendo oro grueso suave electrochapado, oro grueso duro electrochapado y oro de níquel-paladio electrolítico (ENEPIG), con requisitos de planitud de almohadilla y cristalización de grano fino.
Tecnología de prueba e inspección
La prueba de las almohadillas de microunión requiere el soporte de equipos AOI (Inspección óptica automática) de alta precisión y probadores de sondas voladoras de microsondas para pruebas de continuidad. Mientras tanto, se debe establecer un proceso de reparación de AOI para evitar problemas de calidad causados por microdefectos.
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